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Evidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductor

Abstract: Theoretical and experimental investigations combining in situKelvin probe microscopy (KPM) and macroscopic electrical studies are employed to explore the intrinsic transport in dithiophene-tetrathiafulvalene (DT-TTF) single crystal organic field-effect transistors. Our work demonstrates that ambipolar behavior is not restricted only to materials possessing a high electron affinity and thus may be a more general phenomenon.

 Fuente: Journal of Materials Chemistry, 2012, 22(2), 345-348

 Editorial: Royal Society of Chemistry

 Fecha de publicación: 01/01/2012

 Nº de páginas: 4

 Tipo de publicación: Artículo de Revista

 DOI: 10.1039/c1jm15037e

 ISSN: 0959-9428,1364-5501

 Proyecto español: TEC 2008-02520

 Url de la publicación: https://doi.org/10.1039/C1JM15037E

Autoría

PFATTNER, RAPHAEL

MAS-TORRENT, MARTA

PUIGDOLLERS, JOAQUIM

BROMLEY, STEFAN T.

ROVIRA, CONCEPCIÓ

VECIANA, JAUME

ALCUBILLA, RAMÓN