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On a drift-diffusion system for semiconductor devices

Abstract: In this note, we study a fractional Poisson-Nernst-Planck equation modeling a semiconductor device. We prove several decay estimates for the Lebesgue and Sobolev norms in one, two and three dimensions. We also provide the first term of the asymptotic expansion as t? ?. © 2016, Springer International Publishing.

 Fuente: Annales Henri Poincaré, 2016, 17, 3473-3498

Editorial: Springer

 Año de publicación: 2016

Nº de páginas: 26

Tipo de publicación: Artículo de Revista

 DOI: 10.1007/s00023-016-0493-6

ISSN: 1424-0637,1424-0661

Url de la publicación: https://doi.org/10.1007/s00023-016-0493-6