Autoría: Jara E., Barreda-Argüeso J.A., González J., Valiente R., Rodríguez F.,
Congreso: International Conference on High Pressure in Semiconductor Physics (18º : 2018 : Barcelona)
Editorial: La Plata: S. A. Cannas
Año de publicación: 2019
Nº de páginas: 7
Tipo de publicación: Comunicación a Congreso
DOI: 10.4279/pip.110004
ISSN: 1852-4249
Proyecto español: MAT2015-69508-P
Url de la publicación: https://doi.org/10.4279/pip.110004